RT1A050ZPTR和RZQ050P01TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RT1A050ZPTR RZQ050P01TR

描述 RT1A050ZPTR 编带ROHM  RZQ050P01TR  晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -12 V, 0.019 ohm, -4.5 V, -300 mV

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SMD-8 TSOT-23-6

引脚数 - 6

极性 P-CH P-Channel

耗散功率 600mW (Ta) 1.25 W

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V

连续漏极电流(Ids) 5A 5A

上升时间 95 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 2800pF @6V(Vds) 2850pF @6V(Vds)

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W

下降时间 220 ns 225 ns

耗散功率(Max) 600mW (Ta) 600mW (Ta)

针脚数 - 6

漏源极电阻 - 0.019 Ω

阈值电压 - 300 mV

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 SMD-8 TSOT-23-6

长度 - 3 mm

宽度 - 1.8 mm

高度 - 0.95 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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