对比图
描述 RT1A050ZPTR 编带ROHM RZQ050P01TR 晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -12 V, 0.019 ohm, -4.5 V, -300 mV
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SMD-8 TSOT-23-6
引脚数 - 6
极性 P-CH P-Channel
耗散功率 600mW (Ta) 1.25 W
漏源极电压(Vds) 12 V 12 V
连续漏极电流(Ids) 5A 5A
上升时间 95 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 2800pF @6V(Vds) 2850pF @6V(Vds)
额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W
下降时间 220 ns 225 ns
耗散功率(Max) 600mW (Ta) 600mW (Ta)
针脚数 - 6
漏源极电阻 - 0.019 Ω
阈值电压 - 300 mV
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 SMD-8 TSOT-23-6
长度 - 3 mm
宽度 - 1.8 mm
高度 - 0.95 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free