STP120NF10和STP80NF10

对比图

型号 STP120NF10 STP80NF10 IRFB4710PBF

描述 STMICROELECTRONICS  STP120NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道,100V,75A,14mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 120 A 80.0 A 75.0 A

漏源极电阻 0.009 Ω 0.012 Ω 0.014 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 312 W 300 W 200 W

产品系列 - - IRFB4710

阈值电压 4 V 3 V 5.5 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 110 A 80.0 A 75.0 A

上升时间 90 ns 80 ns 130 ns

输入电容(Ciss) 5200pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 6160pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 312 W 300 W 3.8 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

下降时间 68 ns 60 ns -

耗散功率(Max) 312000 mW 300W (Tc) -

额定功率 - 300 W -

输入电容 - 5500 pF -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

高度 9.15 mm 9.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -