对比图
型号 MGSF1N02LT1G PMV56XN,215 MGSF1N02LT1
描述 ON SEMICONDUCTOR MGSF1N02LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 VNXP PMV56XN,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 20 V, 0.056 ohm, 4.5 V, 650 mVON SEMICONDUCTOR MGSF1N02LT1.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 85 mohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V
额定电流 750 mA - 750 mA
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.075 Ω 0.056 Ω 90 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 400 mW 1.92 W 400 mW
阈值电压 1.7 V 650 mV 1.7 V
输入电容 125 pF - -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 20.0 V - 20 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 750 mA 3.76 A 750 mA
上升时间 1 ns - 1 ns
输入电容(Ciss) 125pF @5V(Vds) 230pF @10V(Vds) 125pF @5V(Vds)
额定功率(Max) 400 mW 1.92 W -
下降时间 8 ns - 1 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 400mW (Ta) 1.92W (Tc) 400mW (Ta)
长度 3.04 mm 3 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.3 mm
高度 1.01 mm 1 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 2018/01/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99