对比图
型号 STB6NK60Z-1 STB9NK60Z-1 FQI7N60TU
描述 N沟道600 V - 1ヘ - 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFETN沟道600V - 0.85ohm - 7A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFETN沟道MOSFET QFET® 800 V， 3.9 A， 3.6 I© N-Channel QFET® MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 Ω
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
封装 TO-262-3 I2PAK TO-262-3
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 - 3
极性 - N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 7A 7.40 A
耗散功率 110W (Tc) - 3.13 W
输入电容 905 pF - -
上升时间 14 ns - 80 ns
输入电容(Ciss) 905pF @25V(Vds) - 1430pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W - 3.13 W
下降时间 19 ns - 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) - 3.13W (Ta), 142W (Tc)
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 7.40 A
漏源极电阻 - - 1.00 Ω
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
封装 TO-262-3 I2PAK TO-262-3
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99