BD135-16和BD1356S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD135-16 BD1356S BD13516STU

描述 STMICROELECTRONICS  BD135-16  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 12.5 W, 1.5 A, 40 hFETrans GP BJT NPN 45V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 BulkNPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 50 MHz - -

针脚数 3 - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 12.5 W - 1.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) 40 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW - 1250 mW

额定电压(DC) - 45.0 V 45.0 V

额定电流 - 1.50 A 1.50 A

集电极最大允许电流 - 1.5A 1.5A

长度 7.8 mm - 8.3 mm

宽度 2.7 mm - 3.45 mm

高度 10.8 mm - 11.2 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Bulk Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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