STGP7NB60HD和STGP8NC60KD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STGP7NB60HD STGP8NC60KD IRG4PF50WPBF

描述 N沟道7A - 600V TO- 220 / FP的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBTSTGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220INFINEON  IRG4PF50WPBF  单晶体管, IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 7.00 A - -

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 80.0 W 65 W 200 W

漏源极电压(Vds) 600 V - -

连续漏极电流(Ids) 7.00 A - -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 900 V

反向恢复时间 100 ns 23.5 ns -

额定功率(Max) 80 W 65 W 200 W

额定功率 - - 200 W

针脚数 - 3 3

输入电容 - - 3300 pF

上升时间 - - 26.0 ns

热阻 - - 40 ℃/W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 65000 mW 200000 mW

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

长度 - - 15.9 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 20.3 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台