BD649-S和TIP102G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD649-S TIP102G TIP102

描述 NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONSON SEMICONDUCTOR  TIP102G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 2 W, 8 A, 20 hFESTMICROELECTRONICS  TIP102  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 8A 8A -

最小电流放大倍数(hFE) 750 @3A, 3V 200 1000 @3A, 4V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 62500 mW 2000 mW 2000 mW

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 8.00 A 8.00 A

输出电压 - 100 V -

输出电流 - 8 A -

针脚数 - 3 3

输入电流 - 1 A -

耗散功率 - 80 W 80 W

热阻 - 62.5℃/W (RθJA) -

最大电流放大倍数(hFE) - 20000 -

直流电流增益(hFE) - 200 200

输入电压 - 2.8 V -

额定功率 - - 2 W

长度 10.4 mm 10.28 mm 10.4 mm

宽度 4.7 mm 4.83 mm 4.6 mm

高度 9.3 mm 9.28 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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