BSP50和BSP52T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP50 BSP52T1G BC337-40ZL1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSP50  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 200 MHz, 1 W, 800 mA, 1000 hFEON SEMICONDUCTOR  BSP52T1G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFEON SEMICONDUCTOR  BC337-40ZL1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 4 4 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-226-3

额定电压(DC) 45.0 V 80.0 V 45.0 V

额定电流 800 mA 1.00 A 800 mA

额定功率 1 W - -

针脚数 4 4 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1 W 800 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 80 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 1000 2000 @500mA, 10V 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 1 W 800 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 1000 1000 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1 W 1250 mW 625 mW

频率 - - 210 MHz

集电极最大允许电流 - 1A 0.8A

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电压 - 80 V -

输出电流 - 1 A -

电路数 - 4 -

热阻 - 156℃/W (RθJA) -

输入电压 - 5 V -

长度 6.5 mm 6.5 mm 5.2 mm

宽度 3.56 mm 3.5 mm 4.19 mm

高度 1.6 mm 1.57 mm 5.33 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

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