对比图
型号 TPS1100DG4 TPS1100DR TPS1100D
描述 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) - - -15.0 V
额定电流 - - -1.60 A
输出电压 - - -15.0 V
漏源极电阻 - - 0.18 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 791 mW 0.791 W 791 mW
漏源极电压(Vds) 15 V 15 V 15 V
连续漏极电流(Ids) 1.6A 1.6A -1.60 A
上升时间 10 ns 10 ns 10 ns
额定功率(Max) - 791 mW 791 mW
下降时间 2 ns 2 ns 2 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 791mW (Ta) 791mW (Ta) 791mW (Ta)
通道数 - 1 -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 4.9 mm 4.9 mm -
宽度 3.9 mm 3.91 mm -
高度 1.75 mm 1.75 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
香港进出口证 - - NLR