IPS1021PBF和VNP10N07-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPS1021PBF VNP10N07-E VNP20N07-E

描述 Power Switch Lo Side 13.5A 3Pin(3+Tab) TO-220STMICROELECTRONICS  VNP10N07-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 70 V, 100 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  VNP20N07-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 80 V, 50 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 25 W 50 W 83 W

输出接口数 1 1 1

输出电流 6 A 120 A 28 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.1 Ω 0.05 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 25 W 50 W 83 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) - 70 V 80 V

漏源击穿电压 - 70.0 V 70.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 5.00 A 10.0 A

输入电压(Max) - 18 V 18 V

输出电流(Max) 13.5 A 7 A 14 A

输入数 - 1 1

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) - - 83000 mW

输入电压 4.5V ~ 5.5V 18 V 18 V

电源电压(DC) 4.50V (min) - -

工作电压 36.0V (max) - -

输入电压(DC) 5.50 V - -

产品系列 IPS1021 - -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 5.5V - -

供电电流 - 0.25 mA -

高度 - 15.75 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

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