对比图
型号 BSC160N10NS3GATMA1 FDMS3662
描述 INFINEON BSC160N10NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.0139 ohm, 10 V, 2.7 VFDMS3662 系列 100 V 14.8 mOhm N 沟道 Power Trench Mosfet - Power 56
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 PG-TDSON-8 Power-56
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.0139 Ω 0.0114 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 104 W
阈值电压 2.7 V 3.5 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 8.8A 8.9A
上升时间 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @50V(Vds) 4620pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W
下降时间 5 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
额定功率 60 W -
输入电容 1300 pF -
长度 5.35 mm 5 mm
宽度 6.35 mm 6 mm
高度 1.1 mm 1.05 mm
封装 PG-TDSON-8 Power-56
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15