对比图
型号 CSD25202W15 CSD25202W15T CSD25201W15
描述 CSD25202W15 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFETTEXAS INSTRUMENTS CSD25202W15T 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.021 ohm, -4.5 V, -750 mVP 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 9 9 9
封装 DSBGA-9 DSBGA-9 DSBGA-9
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 0.021 Ω 0.033 Ω
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 0.5 W 500 mW 1.5 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 - - 20 V
连续漏极电流(Ids) 4A 4A 4A
上升时间 12 ns 12 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 1010pF @10V(Vds) 1010pF @10V(Vds) 510pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - - 1.5 W
下降时间 28 ns 28 ns 38 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 1.5W (Ta)
针脚数 - 9 -
长度 - - 1.5 mm
宽度 - - 1.5 mm
高度 - - 0.62 mm
封装 DSBGA-9 DSBGA-9 DSBGA-9
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 停产
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -