FDMS7570S和FDMS7676

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDMS7570S FDMS7676 FDMS7692

描述 PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS7676  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 VPowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 Power-56 Power-56 Power-56-8

漏源极电阻 0.0016 Ω 0.0038 Ω 0.0065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 48 W 27 W

阈值电压 1.7 V 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 30A 28A 14A

上升时间 5.9 ns 5 ns 2.7 ns

输入电容(Ciss) 4515pF @13V(Vds) 2960pF @15V(Vds) 1350pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 4 ns 4 ns 2.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83 W 2.5W (Ta), 48W (Tc) 27 W

针脚数 - 8 -

长度 5 mm - 5 mm

宽度 6 mm - 6 mm

高度 1.05 mm 1.05 mm 1.05 mm

封装 Power-56 Power-56 Power-56-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2013/12/16 2015/06/15 2015/06/15

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