对比图
型号 IRFR120ZPBF IRFR120ZTRPBF IRFR110PBF
描述 INFINEON IRFR120ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 100 V, 190 mohm, 10 V, 4 V单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 4.70 A
额定功率 35 W 35 W 25 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.19 Ω 0.15 Ω 0.54 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 35 W 35 W 25 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 - - 180pF @25V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - - 100 V
连续漏极电流(Ids) 8.7A 8.7A 4.30 A
上升时间 26 ns 26 ns 16.0 ns
输入电容(Ciss) 310pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 35W (Tc) 35W (Tc) 2.5 W
下降时间 23 ns 23 ns -
额定功率(Max) - 35 W -
长度 6.73 mm 6.5 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.3 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 Silicon - -
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 -