FDD6680和FDD6680_NL

对比图

型号 FDD6680 FDD6680_NL FDD8880

描述 N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench ？ MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench? MOSFET30V N-Channel PowerTrench MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8880  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 58.0 A

通道数 1 - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 10 mΩ - 0.007 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 3.3 W - 55 W

阈值电压 - - 2.5 V

输入电容 - - 1.26 nF

栅电荷 - - 23.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 56.0 A 12A 58.0 A

上升时间 7 ns - 91 ns

输入电容(Ciss) 1230pF @15V(Vds) - 1260pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.5 W - 55 W

下降时间 12 ns - 32 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 3.3W (Ta), 56W (Tc) - 55W (Tc)

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99