MUN5316DW1T1和PUMD6,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5316DW1T1 PUMD6,115 MUN5316DW1T1G

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsNXP  PUMD6,115  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363MUN 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN/PNP 双 偏置电阻晶体管 - SOT-363

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-88-6 SOT-363-6 SC-88-6

针脚数 - 6 -

极性 NPN+PNP NPN, PNP NPN, PNP

耗散功率 187 mW 200 mW 0.385 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V 200 @1mA, 5V 160 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 300 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) - 200 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW 300 mW 385 mW

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

通道数 - - 2

最大电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V - 160 @5mA, 10V

高度 0.9 mm 1 mm 0.9 mm

封装 SC-88-6 SOT-363-6 SC-88-6

长度 2 mm - 2 mm

宽度 1.25 mm - 1.25 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99

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