对比图
型号 BCR116E6327HTSA1 PDTC143ZK,115 BCR116E6433HTMA1
描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3MPAK NPN 50V 100mA双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
引脚数 3 - 3
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 70 @5mA, 5V 100 @10mA, 5V 70 @5mA, 5V
额定功率(Max) 200 mW 250 mW 200 mW
额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V
额定电流 100 mA - 100 mA
耗散功率 0.2 W - 0.2 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
增益带宽 150 MHz - 150 MHz
耗散功率(Max) 200 mW - 200 mW
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 2.9 mm - -
宽度 1.3 mm - -
高度 0.9 mm - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete End of Life
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99