BC858BE6327和BC858BF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858BE6327 BC858BF BC858B,235

描述 SOT-23 PNP 30V 0.1APNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF TransistorTO-236AB PNP 30V 0.1A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 SOT-23-3 - SOT-23-3

频率 250 MHz - 100 MHz

极性 PNP - PNP

耗散功率 330 mW - 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - 30 V

集电极最大允许电流 0.1A - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - - 220 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) - - 250 mW

耗散功率(Max) 330 mW - 250 mW

封装 SOT-23-3 - SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 End of Life Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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