AS6C2008-55BIN和AS6C2008-55SIN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS6C2008-55BIN AS6C2008-55SIN AS6C2008-55TIN

描述 静态随机存取存储器 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器AS6C2008 Series 2Mbit (256K x 8) 3V 55ns CMOS Static RAM - SOIC-32SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 32Pin TSOP-I

数据手册 ---

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TFBGA-36 SOIC-32 TFSOP-32

工作电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

存取时间 55 ns 55 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 2.7 V

封装 TFBGA-36 SOIC-32 TFSOP-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 - -

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