BF1211R和BF1211WR,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF1211R BF1211WR,115 BF1211R,215

描述 N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETsMOSFET 晶体管,NXP semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4Pin(3+Tab) SOT-143R T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 - 4 4

封装 SC-61B SOT-343-4 SOT-143

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

频率 - 400 MHz 400 MHz

额定电流 30.0 mA 30 mA 30 mA

耗散功率 180 mW 180 mW 180 mW

漏源极电压(Vds) 6.00 V - 6 V

增益 - 29 dB 29 dB

测试电流 - 15 mA 15 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 180 mW 180 mW 180 mW

额定电压 - 6 V 6 V

额定电压(DC) 6.00 V - -

漏源击穿电压 6 V - -

连续漏极电流(Ids) 30.0 mA - -

上升时间 15 ns - -

下降时间 27 ns - -

封装 SC-61B SOT-343-4 SOT-143

长度 3 mm 2.2 mm -

宽度 1.4 mm 1.35 mm -

高度 1 mm 1 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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