BSV236SP和FDG326P

对比图

型号 BSV236SP FDG326P SI1407DL-T1-E3

描述 BSV236SP P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 6ohm SOT-363 marking/标记 X2 额定雪崩P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFETMOSFET 12V 1.8A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix

分类 主动器件MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 SOT-363-6 SC-70-6 SOT-363-6

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -

额定电流 -1.50 A -1.50 A -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 140 mΩ -

极性 - P-Channel -

耗散功率 - 750 mW -

输入电容 - 467 pF -

栅电荷 - 4.40 nC -

漏源极电压(Vds) 20.0 V 20 V -

漏源击穿电压 - 20 V -

栅源击穿电压 - ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) 1.50 A 1.50 A -

上升时间 8.50 ns 13 ns -

输入电容(Ciss) - 467pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) - 480 mW -

下降时间 - 13 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 750mW (Ta) -

长度 2.00 mm 2 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

高度 - 1.1 mm -

封装 SOT-363-6 SC-70-6 SOT-363-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -