对比图
型号 FDB3652 HUF76639S3S FDB3652_F085
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的100V ， 61A ， 16mз N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз50A ， 100V ， 0.027 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 50A, 100V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
通道数 - - 1
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 150 W 180 W 150 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 61.0 A 50.0 A 9A
上升时间 85 ns 55 ns 85 ns
输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 180 W 150 W
下降时间 45 ns 110 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 180W (Tc) 150W (Tc)
额定电压(DC) 100 V 100 V -
额定电流 61.0 A 50.0 A -
漏源极电阻 0.014 Ω 23.0 mΩ -
阈值电压 4 V - -
输入电容 2.88 nF - -
栅电荷 41.0 nC - -
漏源击穿电压 100 V 100 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 9.65 mm
高度 - - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -