对比图
型号 IPB320N20N3GATMA1 SUM65N20-30-E3 FDB2614
描述 INFINEON IPB320N20N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 200 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB2614 晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 200 V, 22.9 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 2
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
额定功率 136 W - -
针脚数 3 - 2
漏源极电阻 0.028 Ω 0.03 Ω 0.0229 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 136 W 3.75 W 260 W
阈值电压 3 V 4 V 4 V
输入电容 1770 pF - 7.23 nF
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 34A 65.0 A 62.0 A
上升时间 9 ns 220 ns 284 ns
输入电容(Ciss) 1770pF @100V(Vds) 5100pF @25V(Vds) 7230pF @25V(Vds)
下降时间 4 ns 200 ns 162 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 136000 mW 375 W 260W (Tc)
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 62.0 A
通道数 - - 1
栅电荷 - - 99.0 nC
漏源击穿电压 - - 200 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
额定功率(Max) - - 260 W
长度 10.31 mm 10.41 mm 10.67 mm
宽度 9.45 mm 9.652 mm 11.33 mm
高度 4.57 mm 4.826 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active - Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99