对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 VBSS84,215 编带ON SEMICONDUCTOR BSS84LT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, 5 V, -2 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Nexperia (安世) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V
额定电流 -130 mA - -130 mA
额定功率 360 mW - 0.225 W
无卤素状态 - - Halogen Free
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.2 Ω 6 Ω 10 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 360 mW 250 mW 225 mW
阈值电压 - 2 V 2 V
输入电容 73.0 pF - 36pF @5V
漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V
漏源击穿电压 -50.0 V 50 V 50 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 130 mA -130 mA 130 mA
上升时间 6.3 ns - 9.7 ns
正向电压(Max) - - 2.2 V
输入电容(Ciss) 73pF @25V(Vds) 45pF @25V(Vds) 30pF @5V(Vds)
额定功率(Max) 360 mW 250 mW 225 mW
下降时间 4.8 ns - 1.7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360mW (Ta) 250mW (Tc) 225 mW
工作结温 - -65℃ ~ 150℃ -
栅电荷 1.30 nC - -
长度 2.92 mm 3 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.3 mm
高度 0.93 mm 1 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99