RTQ020N03TR和SI3456DDV-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RTQ020N03TR SI3456DDV-T1-GE3 FDC855N

描述 RTQ020N03TR 编带N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC855N  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOT-23-6

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 0.194 Ω 33 mΩ 0.0207 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.25 W 1.7 W 1.6 W

阈值电压 1.5 V 1.2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 5A 6.1A

上升时间 11 ns 13 ns 2 ns

输入电容(Ciss) 135pF @10V(Vds) 325pF @15V(Vds) 655pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.25 W 2.7 W 800 mW

下降时间 9 ns 11 ns 2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.25W (Ta) - 1.6W (Ta)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 2.00 A - -

漏源击穿电压 30.0 V - -

封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOT-23-6

长度 2.9 mm - 3 mm

宽度 1.6 mm - 1.7 mm

高度 0.95 mm - 1 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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