MCP14E8-E/SN和MCP14E8T-E/SN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP14E8-E/SN MCP14E8T-E/SN LM5100BMA

描述 MICROCHIP  MCP14E8-E/SN.  芯片, MOSFET驱动器, SOIC-82.0 A 双 高速 功率 MOSFET 驱动器 带使能 采用8-SOIC 150 mil 封装3A , 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate Drivers

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.50V (min) 4.50V (min) -

上升/下降时间 12ns, 15ns 12ns, 15ns 570ns, 430ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 699 mW 669 mW -

下降时间(Max) 35 ns 35 ns -

上升时间(Max) 30 ns 30 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃

耗散功率(Max) 669 mW 669 mW -

电源电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V 9V ~ 14V

输出电压 18 V - 118 V

输出电流 2 A - 2 A

静态电流 - - 200 µA

上升时间 35ns (Max) - 570 ns

下降时间 40ns (Max) - 430 ns

电源电压(Max) 18 V - 14 V

电源电压(Min) 4.5 V - 9 V

工作电压 4.5V ~ 18V - -

通道数 2 - -

针脚数 8 - -

输入电流 1 µA - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.9 mm

高度 1.25 mm - 1.45 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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