MUN5232DW1T1和MUN5232DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5232DW1T1 MUN5232DW1T1G PDTC123EU,115

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsON SEMICONDUCTOR  MUN5232DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-363 新SC-70 NPN 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 3

封装 SOT-363-6 SC-70-6 SOT-323-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

额定功率 - 187 mW -

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 NPN N-Channel, NPN NPN

耗散功率 187 mW 0.385 W 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 15 @5mA, 10V 15 @5mA, 10V 30 @20mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 385 mW 200 mW

最大电流放大倍数(hFE) 15 @5mA, 10V - -

长度 2 mm 2 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.35 mm

高度 0.9 mm 0.9 mm 1 mm

封装 SOT-363-6 SC-70-6 SOT-323-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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