对比图
型号 FQPF10N60C STP10NK60ZFP SPP04N80C3
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP10NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 800 V
额定电流 9.50 A 10.0 A 4.00 A
额定功率 - 35 W 63 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 730 mΩ 0.65 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 50 W 35 W 63 W
阈值电压 - 3.75 V 3 V
输入电容 - 1370 pF -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 800 V
漏源击穿电压 600 V 600 V 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 9.50 A 10.0 A 4.00 A
上升时间 - 20 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 2040pF @25V(Vds) 1370pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 50 W 35 W 63 W
下降时间 - 30 ns 12 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 50W (Tc) 35W (Tc) 63W (Tc)
长度 - 10.4 mm 10 mm
宽度 - 4.6 mm 4.4 mm
高度 - 9.3 mm 15.65 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -