对比图
型号 IXFH6N100 STW11NK100Z IRFPG50PBF
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH6N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4.5 VSTMICROELECTRONICS STW11NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 VVISHAY IRFPG50PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV
额定电流 6.00 A 8.30 A 6.10 A
额定功率 180 W 230 W 190 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 2 Ω 1.38 Ω 2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 180 W 230 W 180 W
阈值电压 4.5 V 3.75 V 4 V
漏源极电压(Vds) 1 kV 1000 V 1 kV
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 8.30 A 6.10 A
上升时间 40 ns 18 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 2800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 180 W 230 W -
下降时间 60 ns 55 ns 36 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 180W (Tc) 230W (Tc) 190 W
漏源击穿电压 - 1.00 kV 1000 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
输入电容 - - 2800pF @25V
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm 15.87 mm
宽度 - 5.15 mm 5.31 mm
高度 - 20.15 mm 20.7 mm
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/12/17 -
香港进出口证 NLR - -
ECCN代码 - EAR99 -