对比图
描述 Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8Pin(7+Tab) D2PAKMOSFET N-CH 900V 11A
数据手册 --
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 TO-263-8 TO-263-7
额定功率 50 W -
耗散功率 50 W 50 W
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V
上升时间 6.5 ns 6.5 ns
输入电容(Ciss) 150pF @600V(Vds) 150pF @600V(Vds)
下降时间 4 ns 4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc)
封装 TO-263-8 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅