BC856BLT1G和SBC856BLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC856BLT1G SBC856BLT1G BC856B-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC856BLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFEPNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管BC856B 系列 65 V 100 mA 表面贴装 PNP 通用 晶体管 - SOT-23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 100 MHz 200 MHz

针脚数 - 3 3

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 300 mW 225 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) -65.0 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 220 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 150 330

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 350 mW

额定功率 - - 0.31 W

额定电压(DC) -65.0 V - -

额定电流 -100 mA - -

长度 - 3.04 mm 3.05 mm

宽度 - 2.64 mm 1.4 mm

高度 - 1.11 mm 1 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

军工级 - - Yes

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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