BCP56T1和BCP56T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56T1 BCP56T1G BCP56-16T3G

描述 NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial TransistorON SEMICONDUCTOR  BCP56T1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 250 hFEON SEMICONDUCTOR  BCP56-16T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 130 MHz 130 MHz 130 MHz

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

针脚数 - 3 4

极性 N-Channel NPN NPN

耗散功率 1.5 W 1.5 W 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) - 250 25

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1500 mW 1.5 W 1.5 W

集电极击穿电压 100 V (min) - -

长度 - 6.5 mm 6.5 mm

宽度 - 3.5 mm 3.5 mm

高度 - 1.57 mm 1.63 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台