对比图
型号 IRF2805PBF IRFB3206PBF AUIRF2805
描述 N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRFB3206PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 210 A, 60 V, 3 mohm, 10 V, 4 VINFINEON AUIRF2805 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 330 W 300 W 330 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0047 Ω 0.003 Ω 0.0039 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 330 W 300 W 330 W
阈值电压 4 V 4 V 2 V
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 75A 210A 175A
上升时间 120 ns 82 ns 120 ns
输入电容(Ciss) 5110pF @25V(Vds) 6540pF @50V(Vds) 5110pF @25V(Vds)
下降时间 110 ns 83 ns 110 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 330W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc)
输入电容 5110 pF 6540 pF -
漏源击穿电压 55 V - -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.66 mm
宽度 4.83 mm 4.83 mm 4.82 mm
高度 16.51 mm 9.02 mm 16.51 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17