对比图
型号 CSD19537Q3 CSD19538Q3A CSD19531Q5A
描述 CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFET100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON3x3、61mΩ 8-VSONP -55 to 150TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-Clip-8 VSONP-8 VSON-FET-8
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 61 mΩ 0.0053 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 2.8 W 2.8 W 3.3 W
阈值电压 - 3.2 V 2.7 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V -
连续漏极电流(Ids) 50A 4.9A 100A
上升时间 3 ns 3 ns 5.8 ns
输入电容(Ciss) 1680pF @50V(Vds) 454pF @50V(Vds) 3870pF @50V(Vds)
下降时间 3 ns 2 ns 5.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 83W (Tc) 2.8W (Ta), 23W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
针脚数 - - 8
长度 3.3 mm 3.15 mm -
宽度 3.3 mm 3 mm -
高度 1 mm 0.9 mm -
封装 VSON-Clip-8 VSONP-8 VSON-FET-8
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅 Contains Lead
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - EAR99 -