BQ4013YMA-120和DS1245Y-120+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4013YMA-120 DS1245Y-120+ DS1245Y-100+

描述 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-120+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-100+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

安装方式 - Through Hole Through Hole

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

供电电流 50 mA - -

存取时间 120 ns 120 ns 100 ns

内存容量 125000 B 125000 B 125000 B

存取时间(Max) 120 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V

频率 - - 100 GHz

针脚数 - 32 32

时钟频率 - 120 GHz 100 GHz

宽度 18.42 mm 18.8 mm 18.8 mm

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

长度 - 43.69 mm 44.2 mm

高度 - 9.4 mm 9.9 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tube Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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