对比图
型号 STP4NK60ZFP STP9NK65ZFP FQPF5N60C
描述 STMICROELECTRONICS STP4NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道650 V - 1 - 6.4 A TO - 220 / TO- 220FP N-channel 650 V - 1 - 6.4 A TO-220 / TO-220FPFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF5N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 2.5 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 4.50 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 2 Ω - 2.5 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 25 W 30 W 33 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 4.00 A 6.4A 4.50 A
上升时间 9.5 ns 12 ns 42 ns
输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 1145pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 25 W 30 W 33 W
下降时间 16.5 ns 15 ns 46 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25000 mW 30W (Tc) 33W (Tc)
通道数 1 1 -
额定功率 25 W - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 4.6 mm 4.6 mm -
长度 10.4 mm - -
高度 9.3 mm - -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - - NLR