FDPF18N50和SIHF18N50D-E3

对比图

型号 FDPF18N50 SIHF18N50D-E3 STP15NK50ZFP

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF18N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 5 VVISHAY  SIHF18N50D-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STP15NK50ZFP  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 340 mohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.22 Ω 0.23 Ω 0.34 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 38.5 W 39 W 40 W

阈值电压 5 V 3 V 3.75 V

输入电容 2.86 nF - -

栅电荷 60.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 18.0 A - 14.0 A

上升时间 165 ns 36 ns 23 ns

输入电容(Ciss) 2860pF @25V(Vds) 1500pF @100V(Vds) 2260pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 38.5 W - 40 W

下降时间 90 ns 30 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -50 ℃

耗散功率(Max) 38.5W (Tc) 39 W 40W (Tc)

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 14.0 A

额定功率 - - 40 W

通道数 - 1 -

长度 10.16 mm 10.63 mm 10.4 mm

宽度 4.7 mm 4.83 mm 4.6 mm

高度 9.19 mm 9.8 mm 9.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -50℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99