对比图
型号 APT30F50B STW23NM50N STW26NM50
描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETSTMICROELECTRONICS STW23NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STW26NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.162 Ω 0.12 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 415 W 125 W 313 W
阈值电压 - 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V -
上升时间 23 ns 19 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 4525pF @25V(Vds) 1330pF @50V(Vds) 3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 125 W 313 W
下降时间 17 ns 29 ns 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 415W (Tc) 125W (Tc) 313W (Tc)
额定电压(DC) 500 V - 500 V
额定电流 30.0 A - 30.0 A
连续漏极电流(Ids) 30.0 A - 30.0 A
长度 - 15.75 mm -
宽度 - 5.15 mm -
高度 - 20.15 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16
ECCN代码 - EAR99 EAR99