对比图
型号 IRLR3103TRPBF STD40NF03LT4 STD35N3LH5
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.019Ω; ID 55A; D-Pak (TO-252AA); PD 107WSTMICROELECTRONICS STD40NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V30V,14mΩ,35A,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 107 W 80 W 35 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 55.0 A, 46.0 A 20.0 A 35A
上升时间 210 ns 165 ns 4 ns
输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 1440pF @25V(Vds) 725pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 107 W 80 W 35 W
下降时间 - 25 ns 3.5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 80W (Tc) 35W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 55.0 A 40.0 A -
漏源极电阻 0.024 Ω 0.009 Ω -
产品系列 IRLR3103 - -
输入电容 1600pF @25V - -
漏源击穿电压 30 V 30.0 V -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 1 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
高度 2.39 mm - 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - -
宽度 - 6.2 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -