对比图
型号 PZT2907AT1G PZT2907AT3G PZT2907A
描述 ON SEMICONDUCTOR PZT2907AT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 200 hFEON SEMICONDUCTOR PZT2907AT3G 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 50 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR PZT2907A 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 1 W, -800 mA, 100 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 3
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
频率 200 MHz 200 MHz 200 MHz
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 -600 mA -600 mA -800 mA
针脚数 4 4 3
极性 PNP, P-Channel PNP Dual P-Channel, P-Channel
耗散功率 1.5 W 1.5 W 1 W
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 0.6A 0.6A -
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) 300 - -
额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W 1 W
直流电流增益(hFE) 200 50 100
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.5 W 1.5 W 1000 mW
长度 6.5 mm 6.7 mm 6.7 mm
宽度 3.5 mm 3.7 mm 3.7 mm
高度 1.57 mm 1.65 mm 1.7 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99