MMBZ33VAL和MMBZ33VAL,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ33VAL MMBZ33VAL,215 MMBZ33VALT1G

描述 MMBZ 系列、低电容双路 ESD 保护二极管单向双路静电放电 (ESD) 保护二极管,共阳极配置,采用 SOT23 (TO-236AB) 小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装。### 瞬态电压抑制器,NXPMMBZ33 系列 33 V 双 ESD保护 二极管 - SOT23ON SEMICONDUCTOR  MMBZ33VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 26 V, 46 V, SOT-23, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3

电容 - 55 pF -

电路数 - 2 -

耗散功率 360 mW 0.36 W 40 W

钳位电压 46 V 46 V 46 V

测试电流 1 mA 1 mA 1 mA

脉冲峰值功率 40 W 40 W 40 W

最小反向击穿电压 31.35 V 31.35 V 31.35 V

击穿电压 - 31.35 V 31.35 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - - 33.0 V

工作电压 900 mV - 26.0 V

额定电流 - - 1.00 A

额定功率 - - 40.0 W

击穿电压 - - 33.0 V

针脚数 3 - 3

正向电压 - - 0.9 V

最大反向击穿电压 34.65 V - 34.65 V

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max) - - 300 mW

高度 1.1 mm 1 mm 0.94 mm

封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 3 mm - 3.04 mm

宽度 1.4 mm - 1.3 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TA) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2016/06/20

ECCN代码 - - EAR99

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