对比图
型号 IPB054N06N3GATMA1 SPB80N06S2-H5 IPB054N06N3G
描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB054N06N3GATMA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) - 55.0 V -
额定电流 - 80.0 A -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 115 W 300W (Tc) 115 W
输入电容 5000 pF 550 pF -
栅电荷 - 155 nC -
漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80.0 A -
输入电容(Ciss) 5000pF @30V(Vds) 5500pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 300 W -
耗散功率(Max) 115 W 300W (Tc) -
额定功率 115 W - -
上升时间 68 ns - -
下降时间 9 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
长度 10.31 mm - -
宽度 11.05 mm - -
高度 4.57 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free