对比图
型号 STP12NM50 STP14NM50N IXFP16N50P
描述 N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTP14NM50N 系列 N 沟道 500 V 0.32 Ohm MDmesh II 功率 MOSFet - TO-220-3IXFP16N50P 系列 500 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V - 500 V
额定电流 12.0 A - 16.0 A
通道数 - 1 1
漏源极电阻 0.35 Ω 0.28 Ω 400 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 90 W 300 W
输入电容 - - 2.25 nF
栅电荷 - - 43.0 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12A 16.0 A
上升时间 10 ns 9 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 1000pF @25V(Vds) 816pF @50V(Vds) 2250pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 90 W 300 W
下降时间 - 32 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 90W (Tc) 300W (Tc)
阈值电压 4 V 3 V -
额定功率 160 W - -
针脚数 3 - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.66 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.83 mm
高度 9.15 mm 15.75 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99