SI4925DY和SI4925DY-T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4925DY SI4925DY-T1 STS4DPF30L

描述 双P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFETPower Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 30V, 0.032ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8STMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8 8

漏源极电阻 25.0 mΩ 45.0 mΩ 0.07 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2 W 1.10 W 2 W

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±16.0 V

上升时间 22 ns - 35 ns

下降时间 18 ns - 35 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定电压(DC) - 20.0 V -30.0 V

额定电流 - -6.30 A -4.00 A

通道数 - - 2

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 1 V

漏源极电压(Vds) - - 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

连续漏极电流(Ids) - - 4.00 A

输入电容(Ciss) - - 1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 2 W

耗散功率(Max) - - 2000 mW

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.25 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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