BF1202WR和BF2030W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF1202WR BF2030W BF1202WR,115

描述 BF1202WR N沟道MOSFET 10V 30mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 LE 电压控制小信号开关/高饱和电流能力BF2030W N沟道MOSFET 8V 10mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 ND 射频切换Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4Pin(3+Tab) CMPAK T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 晶体管

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 4

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343

频率 - - 400 MHz

额定电流 - - 30 mA

极性 - - N-Channel

耗散功率 - - 0.2 W

漏源极电压(Vds) - - 10 V

连续漏极电流(Ids) - - 30.0 mA

增益 - - 30.5 dB

测试电流 - - 12 mA

耗散功率(Max) - - 200 mW

额定电压 - - 10 V

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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