对比图
型号 PMN38EN SI3456DDV-T1-GE3 FDC653N
描述 NXP PMN38EN 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 30 V, 49.6 mohm, 10 V, 1.5 VVISHAY SI3456DDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC653N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-457 TSOP-6 TSOT-23-6
针脚数 6 6 6
漏源极电阻 49.6 mΩ 0.033 Ω 35 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.75 W 1.7 W 1.6 W
阈值电压 1.5 V 1.2 V 1.7 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
上升时间 - 13 ns 12 ns
下降时间 - 11 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 5.00 A
输入电容 - - 350 pF
栅电荷 - - 12.0 nC
漏源击穿电压 - - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.4A - 5.00 A
输入电容(Ciss) - - 350pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 800 mW
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 1.6W (Ta)
封装 SOT-457 TSOP-6 TSOT-23-6
长度 - - 3 mm
宽度 - - 1.7 mm
高度 - - 1 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Unknown - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99