IPB60R600C6和SPD07N60S5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB60R600C6 SPD07N60S5 IPB60R600C6ATMA1

描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power TransistorInfineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R600C6ATMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-2 TO-252-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 7.30 A -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 63 W 83W (Tc) 63 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 7.3A 7.30 A 7.3A

上升时间 9 ns 40 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 440pF @100V(Vds) 970pF @25V(Vds) 440pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 83 W -

下降时间 13 ns 20 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 63W (Tc) 83W (Tc) 63 W

额定功率 - - 63 W

封装 TO-263-2 TO-252-3 TO-263-3

长度 10.31 mm - 10.31 mm

宽度 9.45 mm - 9.45 mm

高度 4.57 mm - 4.57 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -

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