对比图
型号 FQPF4N90C STP3NK90ZFP 2SK3564(STA4,Q,M)
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF4N90C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 900 V, 3.5 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STP3NK90ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 900 V, 4.8 ohm, 10 V, 3.75 VMOS场效应管 2SK3564(STA4,Q,M) TO-220F
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 3.5 Ω 4.8 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 47 W 25 W 40 W
阈值电压 5 V 3.75 V -
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 4.00 A 3.00 A -
上升时间 50 ns 7 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 960pF @25V(Vds) 590pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 47 W 25 W 40 W
下降时间 35 ns 18 ns 35 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 47W (Tc) 25W (Tc) 40W (Tc)
额定电压(DC) 900 V - -
额定电流 4.00 A - -
漏源击穿电压 900 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
长度 10.16 mm 10.4 mm -
宽度 4.7 mm 4.6 mm -
高度 9.19 mm 16.4 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 - NLR -