对比图
型号 BSS138-7-F BSS138TA BSS138LT1G
描述 N沟道增强型场效应晶体管低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出漏BSS138TA 编带ON SEMICONDUCTOR BSS138LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V
额定电流 200 mA 200 mA 200 mA
额定功率 0.3 W - 0.225 W
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.4 Ω 3.5 Ω 3.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 mW 360 mW 225 mW
阈值电压 1.2 V 1.5 V 1.5 V
输入电容 50.0 pF 50.0 pF 40pF @25V
漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 200 mA 200 mA 200 mA
输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) 50pF @10V(Vds) 50pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 mW 300 mW 225 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 300mW (Ta) 300mW (Ta) 225 mW
漏源击穿电压 - 50.0 V 50 V
上升时间 - 10 ns -
下降时间 - 25 ns -
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
无卤素状态 - - Halogen Free
长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 1 mm 1 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
军工级 Yes Yes -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99