对比图
型号 FDN335N IRLML6244TRPBF MGSF2N02ELT1
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN335N 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mVINFINEON IRLML6244TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 20 V, 21 mohm, 4.5 V, 0.9 V2.8安培, 20伏, N沟道SOT- 23 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V
额定电流 1.70 A - 2.80 A
额定功率 500 mW 1.3 W -
通道数 1 - -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.055 Ω 21 mΩ 85.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 500 mW 1.3 W 1.25 W
阈值电压 900 mV 900 mV -
输入电容 40.0 pF - -
栅电荷 3.50 nC - -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20.0 V
漏源击穿电压 -60.0 V - 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V - ±8.00 V
连续漏极电流(Ids) 1.70 A 6.3A 2.80 A
上升时间 8.5 ns 7.5 ns 95 ns
输入电容(Ciss) 310pF @10V(Vds) 700pF @16V(Vds) -
额定功率(Max) 460 mW - -
下降时间 3 ns 12 ns 95 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.5 W 1.3W (Ta) -
长度 2.92 mm 3.04 mm 2.9 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.3 mm
高度 0.94 mm 1.02 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99